Funktionschemikalien für die Halbleiterindustrie
Hohe Reinheit und eine extrem niedrige Konzentration an Metallverunreinigungen machen SEMICOSIL® Elektroniksilane zu einem elementaren Werkstoff in der Halbleiterindustrie. Als einer der weltweit größten Silanhersteller bietet WACKER ein innovatives Portfolio mit Additiven zur Produktion von mikroelektronischen Bauteilen, Rohstoffen zur Prozessoptimierung sowie Precursoren für die Abscheidung von Isolatorschichten in CVD-Kammern.
SEMICOSIL® TEOS Tetraethoxyorthosilikate und SEMICOSIL® Dimethoxydimethylsilane wirken als Isolatorschichten in Halbleiterbauteilen.
Vorteile:
- Hohe Reinheit
- Geringer Metall Anteil
- Geringer Chlorid Anteil
- Geringer Methanol Anteil
- Spezielle Typen mit tiefen Dielektrizitätskonstanten für die neue Chip-Generation
Anwendungen:
- Precursor bei der Erzeugung isolierender Schichten über CVD-Prozesse
- Bestandteil von Beschichtungen nach den Spin-on-Prozessen
SEMICOSIL® Silazane werden als Additive für mikroelektronische Anwendungen sowie als Rohstoffe zur Prozessoptimierung in der Lithografie eingesetzt.
Vorteile:
- Hohe Reinheit
- Geringer Metall Anteil
- Geringer Chlorid Anteil
- Geringe Verdampfungsrückstände
Anwendungen:
- Adhäsion-Promotor in lithografischen Prozessen
- Rohstoff bei der Modifizierung von Photoresistpolymeren
- Rohstoff in der Erzeugung von Strukturen auf isolierenden Schichten
- Herstellung von Etch-Stop-Schichten
HDK® I13 wird als abrasive Komponente in Slurries für chemisch-mechanisches Polieren (CMP) eingesetzt.
Vorteile:
- Geringer Metallanteil
- Geringe Variation der BET-Oberfläche
- Kratzervermeidung durch geringen Grobanteil
Anwendungen:
- Komponente in CMP Slurries
SEMICOSIL® HCl 5.5 ist ein hochreiner Chlorwasserstoff, der höchsten Qualitätsanforderungen genügt und in der Halbleiterfertigung eingesetzt wird.
Vorteile:
- Hochrein
- Konstante Qualität in Bezug auf Spuren von Fremdgasen und Metallen
Anwendungen:
- Reinigen und Ätzen in der Halbleiterfertigung
- Abätzen von Belägen in Epitaxiekammern zur Vermeidung von Partikelfreisetzungen