Chemisch-Mechanisches Planarisieren

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Chemisch-Mechanisches Planarisieren

Die Herstellung von Halbleiterbausteinen – zum Beispiel Logik-, Memory- und Kontrollerbausteine – erfordert einen Mehrlagenaufbau submikroskopischer Strukturen von Silizium, Siliziumdioxid (interlayer dielectrics), Wolfram (interconnects), Kupfer (Leiterbahnen) und anderen. Wichtig für die einwandfreie Funktionsfähigkeit der Bauteile sind exakte geometrische Dimensionen, die durch Fotolithografie und CMP (Chemisch-Mechanisches-Planarisieren) erzeugt werden. Dabei muss jede Schicht vor dem nächsten Bearbeitungsschritt nanoskalig planarisiert werden. Mit zunehmender Komplexität der Bausteine steigt die Zahl der CMP-Schritte – und dementsprechend der Verbrauch von CMP-Slurries. HDK®-pyrogene Kieselsäure dient dabei prozessoptimierend als abrasives Teilchen bei der Herstellung der CMP-Slurries.
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Produkte AnwendungProduktgruppeProdukttypBET-Oberfläche
HDK® C10 PlanarisierenPyrogene Kieselsäurehydrophil80 - 120 m2/g
HDK® S13 PlanarisierenPyrogene Kieselsäurehydrophil110 - 140 m2/g