Zur Herstellung elektronischer Bauelemente mit Siliciumoberflächen von höchster Reinheit, ohne metallische Verunreinigungen und Sauerstoff sowie extrem perfekter Kristallstruktur, wird ein spezielles Depositionsverfahren verwendet: die Epitaxie (griechisch: übereinander ordnen).

Dazu werden in der Gasphase wenige Mikrometer dicke Siliciumschichten auf einem polierten Siliciumwafer mittels hochreiner und partikelfreier Chlorsilane, wie etwa Trichlorsilan oder Siliciumtetrachlorid, abgeschieden. Dabei ist die hohe Reinheit der Chlorsilane auch Voraussetzung für die gezielte und reproduzierbare Einstellung des spezifischen Widerstands epitaktischer Schichten.