具有无金属杂质或氧、并且晶体结构极其完美的超纯硅表面的电子设备是通过一种特殊的沉积方法制造的，该方法叫做磊晶法（epitaxy，这是一个希腊词汇，意思是“叠合”）。

该方法在气相中进行，使用超纯、自由颗粒氯硅烷（诸如三氯硅烷或四氯化硅），在抛光的硅晶片上沉积数微米厚的硅层。 氯硅烷的高纯度是对磊晶层的电阻率进行可控、可重复调节的先决条件。